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Selective area epitaxy : ウィキペディア英語版 | Selective area epitaxy
Selective area epitaxy is the local growth of epitaxial layer through a patterned dielectric mask (typically SiO2 or Si3O4) deposited on a semiconductor substrate.
抄文引用元・出典: フリー百科事典『 ウィキペディア(Wikipedia)』 ■ウィキペディアで「Selective area epitaxy」の詳細全文を読む
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